| Produktbeschreibung | Samsung Semiconductor PM883 MZ7LH480HAHQ - Solid-State-Disk - 480 GB - SATA 6Gb/s |
| Typ | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 480 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | (2.5") (6.4 cm) |
| Schnittstelle | SATA 6Gb/s |
| Datenübertragungsrate | 600 MBps |
| Merkmale | Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Power Disable Pin (Pin3) |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 69.85 mm x 100.2 mm x 6.8 mm |
| Gewicht | 70 g |
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 480 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | (2.5") (6.4 cm) |
| Schnittstelle | SATA 6Gb/s |
| Byte pro Sektor | 512 |
| Merkmale | Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Power Disable Pin (Pin3) |
| Breite | 69.85 mm |
| Tiefe | 100.2 mm |
| Höhe | 6.8 mm |
| Gewicht | 70 g |
| Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 1.3 |
| SSD-Leistung | 683 TB |
| Details zur Datenübertragungsgeschwindigkeit | Serial ATA: 600 MB/s |
| Übertragungsrate Laufwerk | 600 MBps (extern) |
| Interner Datendurchsatz | 550 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 98000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 28000 IOPS |
| Mittlere Wartezeit | 40 µs |
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
| Schnittstellen | SATA 6 Gb/s |
| Kompatibles Schaltfeld | (2.5") (6.4 cm) |
| Energieverbrauch | 2.3 Watt (Lesen) 2.9 Watt (Schreiben) 1.3 Watt (Leerlauf) |
| Kennzeichnung | RoHS |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 20-2000 Hz |
| Brand | Samsung |