| Produktbeschreibung | Samsung PM983 MZQLB960HAJR - Solid-State-Disk - 960 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Typ | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 960 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | 2.5" (6.4 cm) |
| Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, End-to-End-Datenschutz, Enterprise Power-Loss Protection |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 69.85 mm x 100.2 mm x 6.8 mm |
| Gewicht | 70 g |
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 960 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | 2.5" (6.4 cm) |
| Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | Native Command Queuing (NCQ), TRIM-Unterstützung, Dynamic and Static Wear Leveling, End-to-End-Datenschutz, Enterprise Power-Loss Protection |
| Breite | 69.85 mm |
| Tiefe | 100.2 mm |
| Höhe | 6.8 mm |
| Gewicht | 70 g |
| Laufwerkaufzeichnungen pro Tag | 1.3 |
| SSD-Leistung | 1366 TB |
| Interner Datendurchsatz | 3000 MBps (lesen)/ 1050 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 400000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 40000 IOPS |
| Mittlere Wartezeit | 15 µs |
| MTBF | 2,000,000 Stunden |
| Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^17 |
| Schnittstellen | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - U.2 (SFF-8639) |
| Kompatibles Schaltfeld | 2.5" (6.4 cm) |
| Energieverbrauch | 8.6 Watt (Lesen) 8.1 Watt (Schreiben) 4 Watt (Leerlauf) |
| Kennzeichnung | RoHS |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Min. Lagertemperatur | -40 °C |
| Max. Lagertemperatur | 85 °C |
| Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb | 5 - 95 % (nicht kondensierend) |
| Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms halbe Sinuswelle |
| Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 20 g @ 10-2000 Hz |
| Brand | Samsung |