| Produktbeschreibung | Micron 2200 - Solid-State-Disk - 1 TB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Typ | Solid-State-Disk - intern - RAIN-Technologie, dynamische Schreibbeschleunigung, NVM Express (NVMe) 1.2.1, Geräte-Selbsttest |
| Kapazität | 1 TB |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | RAIN-Technologie, dynamische Schreibbeschleunigung, NVM Express (NVMe) 1.2.1, Geräte-Selbsttest, S.M.A.R.T. |
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 1 TB |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | RAIN-Technologie, dynamische Schreibbeschleunigung, NVM Express (NVMe) 1.2.1, Geräte-Selbsttest, S.M.A.R.T. |
| Interner Datendurchsatz | 3000 MBps (lesen)/ 1600 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read | 240000 IOPS |
| 4 KB Random Write | 210000 IOPS |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Energieverbrauch | 5 mW (DevSleep) 300 mW (Leerlauf) 6000 mW (aktiv) |
| Brand | MICRON |